https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/502132
標題: | Hole effective mass of strained Ge <inf>1-x</inf> Sn <inf>x</inf> alloys P-channel quantum-well MOSFETs on (001), (110), and (111) Ge substrates | 作者: | Lan, H.-S. CHEE-WEE LIU |
公開日期: | 2016 | 卷: | 75 | 期: | 8 | 起(迄)頁: | 571-578 | 來源出版物: | ECS Transactions | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/502132 | DOI: | 10.1149/07508.0571ecst |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。