https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/505921
標題: | Effect of border traps on the threshold voltage instability of fluoride-doped AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors | 作者: | CHAO-HSIN WU Chang, L.-C. Yin, S.-Y. CHAO-HSIN WU |
公開日期: | 2019 | 卷: | 51 | 期: | 19 | 來源出版物: | Journal of Physics D: Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/505921 | DOI: | 10.1088/1361-6463/ab053d |
顯示於: | 電機工程學系 |
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