https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/505928
標題: | Enhancement-mode AlGaN/GaN MOS-HEMT on silicon with ultrathin barrier and diluted KOH passivation | 作者: | CHAO-HSIN WU Chang, L.-C. Tsai, T.-H. Jiang, Y.-H. CHAO-HSIN WU |
公開日期: | 2016 | 起(迄)頁: | 422-425 | 來源出版物: | 2016 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2016 | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/505928 | DOI: | 10.1109/EDSSC.2016.7785298 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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