https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/549168
標題: | Record Low Contact Resistivity (4.4¡?10<sup>-10</sup> £[-cm<sup>2</sup>) to Ge Using In-situ B and Sn Incorporation by CVD with Low Thermal Budget (?400¢XC) and Without Ga | 作者: | Lu, F.-L. Tsai, C.-E. Huang, C.-H. Ye, H.-Y. Lin, S.-Y. CHEE-WEE LIU |
公開日期: | 2019 | 卷: | 2019-June | 起(迄)頁: | T178-T179 | 來源出版物: | Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology | URI: | https://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85070314476&partnerID=40&md5=c3c0399f0563075e3f8d29fcc269f8e8 https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/549168 |
DOI: | 10.23919/VLSIT.2019.8776581 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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