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瀏覽 的方式: 作者
M. H. Liao
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公開日期
標題
作者
來源出版物
scopus
WOS
全文
2008
2 um electroluminescence from the Si/Si0.2Ge0.8 type II heterojunction
M. H. Liao; T.-H. Cheng; C. W. Liu; Lingyen Yeh; T.-L. Lee; M.-S. Liang; MING-HAN LIAO
J. Appl. Phys
2006
Electroluminescence from the Ge quantum dot metal-oxide-semiconductor tunneling diodes
M. H. Liao; C.-Y. Yu; T.-H. Guo; C.-H. Lin; C. W. Liu; MING-HAN LIAO
IEEE Electron Device Letters
2006
Infrared emission from Ge metsl-isulator-semiconductor tunneling diodes
M. H. Liao; T.-H. Cheng; C. W. Liu; MING-HAN LIAO
Appl. Phys. Lett.,
2009
An Investigation on the Light-Emission Mechanism of Metal-Insulator-Semiconductor Light-Emitting Diodes with Different SiGe Quantum Well Structures
M. H. Liao; MING-HAN LIAO
Applied Physics Letters
2009
Local stress determination in shallow trench insulator structures with one side and two sides pad SiN layer by polarized micro-Raman spectroscopy extraction and mechanical modelization
M. H. Liao; MING-HAN LIAO
J. Appl. Phys
2006
strained Pt Schottky diodes on n-type Si and Ge
M. H. Liao; P.-S. Kuo; S.-R. Jan; S.-T. Chang; C. W. Liu; MING-HAN LIAO
Appl. Phys. Lett.,