https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/151525
標題: | 用於超大型積電之深次微米超薄絕緣體上矽金氧半元件模型 Modeling Deep-Submicron SOI MOS Devices for VLSI |
作者: | 郭正邦 | 公開日期: | 31-七月-2000 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/7781 | 其他識別: | 892215E002011 | Rights: | 國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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