https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/294267
標題: | Growth of InAsN/ InGaAsP multiple quantum well on InP by gas source molecular beam epitaxy | 作者: | J. S. Wang H. H. Lin L. W. Sung G. R. Chen HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 十月-2001 | 卷: | 19 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 202-206 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/294267 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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