https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/298246
標題: | Hole and electron field-effect mobilities in nanocrystalline silicon deposited at 150°C | 作者: | Cheng, I.-C. Wagner, S. I-CHUN CHENG |
公開日期: | 2002 | 卷: | 80 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 440-442 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-79956054766&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/298246 |
DOI: | 10.1063/1.1435798 |
顯示於: | 光電工程學研究所 |
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