https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/299091
標題: | Fringing-Induced Barrier Lowering (FIBL) Effects of 100nm FD SOI NMOS Devices with High Permittivity Gate Dielectrics and LDD/Sidewall Oxide Spacer | 作者: | S. C. Lin J. B. Kuo JAMES-B KUO |
公開日期: | 十月-2002 | 起(迄)頁: | 93-94 | 來源出版物: | IEEE SOI Conference Proc | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/299091 | DOI: | 10.1109/soi.2002.1044431 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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