https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304106
標題: | Analysis of Gate Misalignment Effect on the Threshold Voltage of Double-Gate (DG) Ultrathin FD SOI NMOS Devices Using a Compact Model Considering Fringing Electric Field Effect | 作者: | J. B. Kuo E. C. Sun M. T. Lin JAMES-B KUO |
公開日期: | 十一月-2003 | 起(迄)頁: | 83-86 | 來源出版物: | IEEE Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304106 | DOI: | 10.1109/edmo.2003.1259988 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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