https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317640
標題: | Fringing-Induced Narrow-Channel-Effect (FINCE) RElated Capacitance Behavior of Nanometer FD SOI NMOS Devices Using Mesa-Isolation Via 3D Simulation | 作者: | G. S. Lin J. B. Kuo JAMES-B KUO |
公開日期: | 十月-2005 | 來源出版物: | EDSM | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317640 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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