https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349414
標題: | Self-aligned inversion-channel In 0.75 Ga 0.25 As MOSFETs using MBE-Al 2 O 3/Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) and ALD-Al 2 O 3 as gate dielectrics | 作者: | Lin, TD Chiu, HC Chang, P Chang, YH Lin, CA Chang, WH Kwo, J Tsai, W MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2009 | 起(迄)頁: | 399-402 | 來源出版物: | Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, 2009 | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349414 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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