https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/351951
標題: | A Novel 0.7V Two-Port 6T SRAM Memory Cell Structure with Single-Bit-Line Simultaneous Read-and-Write Access (SBLSRWA) Capability using Partially Depleted SOI Dynamic-Threshold Technique | 作者: | S. C. Liu J. B. Kuo JAMES-B KUO |
公開日期: | 十月-1999 | 起(迄)頁: | 75-76 | 來源出版物: | IEEE International SOI Conference Proceedings | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/351951 | DOI: | 10.1109/soi.1999.819860 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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