https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/359228
標題: | Gate tunneling leakage current behavior of 40 nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect | 作者: | H. J. Hung J. B. Kuo D. Chen C. S. Yeh JAMES-B KUO |
公開日期: | 五月-2010 | 卷: | 50 | 期: | 5 | 起(迄)頁: | 607-609 | 來源出版物: | Microelectronics Reliability | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/359228 | DOI: | 10.1016/j.microrel.2010.01.015 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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