https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/378073
標題: | Interface trap redistribution and deep depletion behavior of non-planar MOS with ultra thin oxide grown by anodic oxidation | 作者: | Tseng, P.-H. Hwu, J.-G. JENN-GWO HWU |
公開日期: | 2013 | 卷: | 53 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 331-341 | 來源出版物: | ECS Transactions | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84885623869&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/378073 |
DOI: | 10.1149/05301.0331ecst |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。