https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/501026
標題: | Analysis of fringing-electric-field-related capacitance behavior of narrow-channel FD SOI NMOS devices using 3D simulation | 作者: | Chen, C.C. Lin, O.G. Kuo, J.B. CHUNG-PING CHEN |
公開日期: | 2007 | 起(迄)頁: | 1376-1379 | 來源出版物: | ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/501026 | DOI: | 10.1109/ICSICT.2006.306188 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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