https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/153858
標題: | Gate Area and Dose Effects on the Characerization of Oxide Radiation Hardness and Hot-Electron Resistance of MOS Devices by Repeated Irradiation-Then-Anneal Treatments. | 作者: | 胡振國 Lin, J. J. Hwu, Jenn-Gwo |
公開日期: | 1991 | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/153908 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。