https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443342
標題: | Growth mechanism of atomic layer deposited Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>on GaAs(001)-4 ? 6 surface with trimethylaluminum and water as precursors | 作者: | Huang, M.L. Chang, Y.H. Lin, T.D. Lin, H.Y. Liu, Y.T. Pi, T.W. Hong, M. Kwo, J. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2012 | 卷: | 101 | 期: | 21 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443342 | DOI: | 10.1063/1.4767129 |
顯示於: | 物理學系 |
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