https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443362
標題: | Achieving very high drain current of 1.23 mA/弮m in a 1-弮m-gate-length self-aligned inversion-channel MBE-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ga <inf>2</inf>O<inf>3</inf>(Gd<inf>2</inf>O<inf>3</inf>)/In<inf>0.75</inf>Ga <inf>0.25</inf>As MOSFET | 作者: | Lin, T.D. Chang, P. Wu, Y.D. Chiu, H.C. Kwo, J. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2011 | 卷: | 323 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 518-521 | 來源出版物: | Journal of Crystal Growth | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443362 | DOI: | 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.079 |
顯示於: | 物理學系 |
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