https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/500382
標題: | Incorporation of group V elements in Ga<inf>x</inf>In<inf>1-x</inf>As<inf>y</inf>P<inf>1-y</inf> grown by gas source molecular beam epitaxy | 作者: | Lee, T.-L. Liu, J.-S. HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 1996 | 卷: | 25 | 期: | 9 | 起(迄)頁: | 1469-1473 | 來源出版物: | Journal of Electronic Materials | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/500382 | DOI: | 10.1007/BF02655385 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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