https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491611
標題: | Physical and memory characteristics of atomic-layer-deposited high-�e hafnium-aluminum-oxide Nanocrystal Capacitors with Iridium-Oxide Metal Gate | 作者: | Das, A. Maikap, S. Li, W.-C. Chang, L.-B. Yang, J.-R. JER-REN YANG |
公開日期: | 2009 | 卷: | 48 | 期: | 5 PART 2 | 來源出版物: | Japanese Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491611 | DOI: | 10.1143/JJAP.48.05DF02 |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
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